Gamintojo produkto numeris:
NTBG045N065SC1
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTBG045N065SC1-DG
Aprašymas:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventorius:
744 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12963771
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTBG045N065SC1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
62A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V, 18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.3V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1890 pF @ 325 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
242W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK-7
Pakuotė / dėklas
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTBG045N065SC1DKR
488-NTBG045N065SC1TR
488-NTBG045N065SC1CT
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NVBG045N065SC1
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
796
DiGi DALIES NUMERIS
NVBG045N065SC1-DG
VISO KAINA
17.97
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJA82EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
NTMFS022N15MC
POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
