Gamintojo produkto numeris:
NTBL045N065SC1
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTBL045N065SC1-DG
Aprašymas:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 73A (Tc) 348W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventorius:
1886 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001673
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTBL045N065SC1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
73A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V, 18V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.3V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
VGS (Max)
+22V, -8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1870 pF @ 325 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
348W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HPSOF
Pakuotė / dėklas
8-PowerSFN
Pagrindinio produkto numeris
NTBL045
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTBL045N065SC1DKR
488-NTBL045N065SC1CT
488-NTBL045N065SC1TR
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
G300P06D5
P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-
NTMT045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
G700P06H
P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1
