Gamintojo produkto numeris:
NTD3817N-1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTD3817N-1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
12842429
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTD3817N-1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
16 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
702 pF @ 12 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
NTD38
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTMFS4839NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
NTLUS3A90PZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
NVMFS5113PLWFT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
