Gamintojo produkto numeris:
NTD4809NAT4G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTD4809NAT4G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12856487
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTD4809NAT4G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 11.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
NTD48
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-NTD4809NAT4G
2156-NTD4809NAT4G-ONTR-DG
ONSONSNTD4809NAT4G
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPD090N03LGATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
94138
DiGi DALIES NUMERIS
IPD090N03LGATMA1-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FDD8880
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
13967
DiGi DALIES NUMERIS
FDD8880-DG
VISO KAINA
0.27
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RJK0853DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
NTBV75N06T4G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
NDDP010N25AZ-1H
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
