NTD4858NA-35G

Gamintojo produkto numeris:

NTD4858NA-35G

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

NTD4858NA-35G-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

Išsami aprašymas:

N-Channel 25 V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12860272

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

NTD4858NA-35G Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

25 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

11.2A (Ta), 73A (Tc)

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

19.2 nC @ 4.5 V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1563 pF @ 12 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

I-PAK

Pakuotė / dėklas

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Pagrindinio produkto numeris

NTD48

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

NTD4858NA-35G-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

ONSONSNTD4858NA-35G

2156-NTD4858NA-35G-ON

Standartinis paketas

75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

renesas-electronics-america

NP55N055SDG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 55A TO252

renesas-electronics-america

NP36P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 36A TO252

renesas-electronics-america

NP109N055PUJ-E1B-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

renesas-electronics-america

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK