Gamintojo produkto numeris:
NTD60N02R-35G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTD60N02R-35G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventorius:
12858358
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTD60N02R-35G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1330 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pagrindinio produkto numeris
NTD60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSNTD60N02R-35G
2156-NTD60N02R-35G-ON
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SCH1331-S-TL-H
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
NVMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NVMFS6B75NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
