Gamintojo produkto numeris:
NTGD3133PT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTGD3133PT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12842350
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTGD3133PT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.6A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
400pF @ 10V
Galia - Maks.
560mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pagrindinio produkto numeris
NTGD31
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-NTGD3133PT1G-ONTR
ONSONSNTGD3133PT1G
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDC6310P
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
7945
DiGi DALIES NUMERIS
FDC6310P-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N7002DW L6327
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
NTZD3155CT2G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
NVMFD5877NLT3G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
