Gamintojo produkto numeris:
NTH4LN095N65S3H
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTH4LN095N65S3H-DG
Aprašymas:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventorius:
12950505
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTH4LN095N65S3H Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperFET® III
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 2.8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2833 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247-4
Pakuotė / dėklas
TO-247-4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTH4LN095N65S3H
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFH60N65X2-4
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
33
DiGi DALIES NUMERIS
IXFH60N65X2-4-DG
VISO KAINA
7.36
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
NVMFS5C420NLWFT1G
POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,