Gamintojo produkto numeris:
NTHD2102PT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTHD2102PT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventorius:
12841087
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTHD2102PT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16nC @ 2.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
715pF @ 6.4V
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
ChipFET™
Pagrindinio produkto numeris
NTHD21
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
QJD1210SA1
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMFD5C478NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
MCH6662-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH
