Gamintojo produkto numeris:
NTHL041N60S5H
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTHL041N60S5H-DG
Aprašymas:
NTHL041N60S5H
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 57A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventorius:
166 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12966312
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTHL041N60S5H Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperFET® V
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
57A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
41mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.3V @ 6.7mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5840 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
329W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247-3
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTHL041N60S5H
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R6086YNZ4C13
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
568
DiGi DALIES NUMERIS
R6086YNZ4C13-DG
VISO KAINA
6.34
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TSM60NB041PW C1G
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
2485
DiGi DALIES NUMERIS
TSM60NB041PW C1G-DG
VISO KAINA
8.76
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
