Gamintojo produkto numeris:
NTLJD4116NT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTLJD4116NT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Inventorius:
9844 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12844396
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTLJD4116NT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
427pF @ 15V
Galia - Maks.
710mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-WDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
6-WDFN (2x2)
Pagrindinio produkto numeris
NTLJD41
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NTLJD4116NT1G-DG
488-NTLJD4116NT1GTR
ONSONSNTLJD4116NT1G
2156-NTLJD4116NT1G-OS
488-NTLJD4116NT1GCT
488-NTLJD4116NT1GDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AO4800
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
NTJD4105CT4G
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
AON6884L
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
