Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
NTMFD4C86NT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTMFD4C86NT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventorius:
Prašymas dėl kainos internetu
12847842
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTMFD4C86NT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.3A, 18.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1153pF @ 15V
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (5x6)
Pagrindinio produkto numeris
NTMFD4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
NTMFD4C86NT1G-DG
Duomenų lapai
NTMFD4C86NT1G
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSNTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1GOSCT
NTMFD4C86NT1GOSTR
NTMFD4C86NT1GOSDKR
NTMFD4C86NT1G-DG
2156-NTMFD4C86NT1G-ONTR
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET