Gamintojo produkto numeris:
NTMFD4C86NT3G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTMFD4C86NT3G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventorius:
12856526
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTMFD4C86NT3G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.3A, 18.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1153pF @ 15V
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (5x6)
Pagrindinio produkto numeris
NTMFD4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSNTMFD4C86NT3G
2156-NTMFD4C86NT3G-OS
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
HP8KA1TB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2500
DiGi DALIES NUMERIS
HP8KA1TB-DG
VISO KAINA
0.41
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTJD3158CT2G
MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NDS8858H
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC