Gamintojo produkto numeris:
NTMKE4891NT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTMKE4891NT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 26.7A (Ta), 151A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Inventorius:
12847917
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTMKE4891NT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26.7A (Ta), 151A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4360 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Pakuotė / dėklas
5-ICEPAK
Pagrindinio produkto numeris
NTMKE4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQPF17N08
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
FDS8690
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
HUF75307T3ST
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
