Gamintojo produkto numeris:
NTNS4C69NTCG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTNS4C69NTCG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH SMD
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 1A (Ta) 178mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Inventorius:
12972680
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTNS4C69NTCG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.1V @ 10µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
75 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
178mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Pakuotė / dėklas
3-XFDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTNS4C69NTCGTR
2832-NTNS4C69NTCG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJQ5440_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRFBG30PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
