NTTFS5116PLTWG
Gamintojo produkto numeris:

NTTFS5116PLTWG

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

NTTFS5116PLTWG-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Inventorius:

6635 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12845077
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

NTTFS5116PLTWG Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1258 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Pagrindinio produkto numeris
NTTFS5116

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
NTTFS5116PLTWGOSCT
NTTFS5116PLTWG-DG
NTTFS5116PLTWGOSTR
NTTFS5116PLTWGOSDKR
Standartinis paketas
5,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

NTD3808NT4G

MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF20C60P

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

onsemi

NTLUS3C18PZTBG

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

onsemi

NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK