Gamintojo produkto numeris:
NTTFS5811NLTWG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTTFS5811NLTWG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventorius:
12856120
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTTFS5811NLTWG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
17A (Ta), 53A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1570 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.7W (Ta), 33W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Pagrindinio produkto numeris
NTTFS5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RQ3G150GNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5884
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3G150GNTB-DG
VISO KAINA
0.44
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
RH6G040BGTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5281
DiGi DALIES NUMERIS
RH6G040BGTB1-DG
VISO KAINA
0.68
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVMFS5A160PLZT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
RJK6006DPP-A0#T2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
