Gamintojo produkto numeris:
NVD5C648NLT4G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVD5C648NLT4G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12857586
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVD5C648NLT4G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Ta), 89A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
NVD5C648
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPD90N06S4L05ATMA2
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2415
DiGi DALIES NUMERIS
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
VISO KAINA
0.62
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVMFS5885NLT3G
MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN
NVMFS5C460NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
