Gamintojo produkto numeris:
NVMFD5C650NLWFT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVMFD5C650NLWFT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventorius:
1340 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12842812
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVMFD5C650NLWFT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 98µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2546pF @ 25V
Galia - Maks.
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Pagrindinio produkto numeris
NVMFD5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NVMFD5C650NLWFT1GOSDKR
NVMFD5C650NLWFT1GOSTR
NVMFD5C650NLWFT1GOSCT
NVMFD5C650NLWFT1G-DG
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTJD4158CT2G
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
NTJD5121NT2G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
SQJ500EP
MOSFET N/P-CH 40V DPAK
