Gamintojo produkto numeris:
NVMFD6H852NLT1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVMFD6H852NLT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventorius:
12842967
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVMFD6H852NLT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta), 25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 26µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
521 pF @ 40 V
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
NVMFD6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NVMFD6H852NLT1GOS
NVMFD6H852NLT1GOS-DG
NVMFD6H852NLT1GOSCT
NVMFD6H852NLT1GOSTR
NVMFD6H852NLT1GOSDKR
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPA60R520CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-FP
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
NTJS3157NT2
MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
