Gamintojo produkto numeris:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12845283
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVMYS021N06CLTWG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 16µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
410 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LFPAK4 (5x6)
Pakuotė / dėklas
SOT-1023, 4-LFPAK
Pagrindinio produkto numeris
NVMYS021
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
AOTF5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
