Gamintojo produkto numeris:
NVTFS5811NLTWG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVTFS5811NLTWG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 16A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventorius:
12858906
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVTFS5811NLTWG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1570 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Pagrindinio produkto numeris
NVTFS5811
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RQ3G150GNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5884
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3G150GNTB-DG
VISO KAINA
0.44
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
RH6G040BGTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5281
DiGi DALIES NUMERIS
RH6G040BGTB1-DG
VISO KAINA
0.68
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTD23N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
NTTFS4945NTWG
MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
IRFBC40AS
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK