Gamintojo produkto numeris:
NVTFS5826NLWFTWG
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NVTFS5826NLWFTWG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 7.6A (Ta) 3.2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventorius:
12840979
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NVTFS5826NLWFTWG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
850 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 22W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Pagrindinio produkto numeris
NVTFS5826
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RH6L040BGTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
24833
DiGi DALIES NUMERIS
RH6L040BGTB1-DG
VISO KAINA
0.79
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SI7120ADN-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
3413
DiGi DALIES NUMERIS
SI7120ADN-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.55
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
MTB75N05HDT4
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
NTJS4160NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
