Gamintojo produkto numeris:
SI4532DY
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
SI4532DY-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
25774 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12858843
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4532DY Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.9A, 3.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
235pF @ 10V
Galia - Maks.
900mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4532
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4532DYDKR
SI4532DY-DG
SI4532DYTR
SI4532DYCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NTHD5905T1
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
