Gamintojo produkto numeris:
SK8603190L
Product Overview
Gamintojas:
Panasonic Electronic Components
Detalių numeris:
SK8603190L-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 2.7W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Inventorius:
12865252
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SK8603190L Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Panasonic
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Ta), 19A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1.01mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1092 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.7W (Ta), 19W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
HSO8-F4-B
Pakuotė / dėklas
8-PowerSMD, Flat Leads
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
P16271CT
P16271DKR
P16271TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
FL6L52010L
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
MTM231100L
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI3-G1