PJD25N04-AU_L2_000A1
Gamintojo produkto numeris:

PJD25N04-AU_L2_000A1

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJD25N04-AU_L2_000A1-DG

Aprašymas:

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 5.9A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventorius:

12973810
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJD25N04-AU_L2_000A1 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.9A (Ta), 21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
425 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD25

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJD25N04-AU_L2_000A1TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SUD09P10-195-BE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

panjit

PJQ5450-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF4NA65H_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET