Gamintojo produkto numeris:
PJD25N04_L2_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJD25N04_L2_00001-DG
Aprašymas:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 5.9A (Ta), 21A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
12973979
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJD25N04_L2_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.9A (Ta), 21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
425 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD25
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJD25N04_L2_00001TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJS6413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MCU18P10-TP
MOSFET P-CH DPAK
GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
