PJD3NA50_L2_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJD3NA50_L2_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJD3NA50_L2_00001-DG

Aprašymas:

500V N-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12974368
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJD3NA50_L2_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
260 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
34W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD3NA50

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJD3NA50_L2_00001TR
3757-PJD3NA50_L2_00001CT
3757-PJD3NA50_L2_00001DKR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4441P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M