PJD4NA65H_L2_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJD4NA65H_L2_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJD4NA65H_L2_00001-DG

Aprašymas:

650V N-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventorius:

12973026
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJD4NA65H_L2_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
423 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
34W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD4NA65

Duomenų lapas ir dokumentai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJD4NA65H_L2_00001DKR
3757-PJD4NA65H_L2_00001CT
3757-PJD4NA65H_L2_00001TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

ISK024NE2LM5AULA1

TRENCH <= 40V PG-VSON-6

panjit

PJC7409_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJF60R290E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

vishay-siliconix

IRFR9220TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK