Gamintojo produkto numeris:
PJD4NA65_R2_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJD4NA65_R2_00001-DG
Aprašymas:
650V N-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 4A (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
12971470
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJD4NA65_R2_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
463 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD4NA65
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJD4NA65_R2_00001DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFC5305B
MOSFET 55V 31A DIE
PJS6461_S1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW1NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
