PJD7NA60_R2_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJD7NA60_R2_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJD7NA60_R2_00001-DG

Aprašymas:

600V N-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 7A (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventorius:

12971114
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJD7NA60_R2_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
723 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD7N

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJD7NA60_R2_00001TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
panjit

PJP2NA70_T0_00001

700V N-CHANNEL MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AOT66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220

panjit

PJE8402_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SIHD3N50D-BE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK