Gamintojo produkto numeris:
PJMF600N65E1_T0_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJMF600N65E1_T0_00001-DG
Aprašymas:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 700 V 7.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventorius:
1958 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12972029
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJMF600N65E1_T0_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
700 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
554 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
32W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
ITO-220AB-F
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pagrindinio produkto numeris
PJMF600
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJMF600N65E1_T0_00001
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJD9P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD7NA60_L2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJS6417_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
