PJP2NA60_T0_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJP2NA60_T0_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJP2NA60_T0_00001-DG

Aprašymas:

600V N-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 44W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

12974287
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJP2NA60_T0_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
257 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
44W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
PJP2

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJP2NA60_T0_00001
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
panjit

PJL9411_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJA3412-AU_R2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

onsemi

NVTYS003N03CLTWG

T6 30V N-CH LL IN LFPAK33

onsemi

NVTFS027N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL