Gamintojo produkto numeris:
PJQ1820_R1_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJQ1820_R1_00001-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1010-6L
Inventorius:
12964811
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJQ1820_R1_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
Technologija
-
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
800mA (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
46pF @ 10V
Galia - Maks.
400mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-UFDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN1010-6L
Pagrindinio produkto numeris
PJQ1820
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJQ1820_R1_00001CT
3757-PJQ1820_R1_00001TR
3757-PJQ1820_R1_00001DKR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SH8MC5TB1
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
QH8MB5TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
SI4834BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
