PJQ4460AP_R2_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJQ4460AP_R2_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJQ4460AP_R2_00001-DG

Aprašymas:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 3.7A (Ta), 11A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DFN3333-8

Inventorius:

12974225
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJQ4460AP_R2_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.7A (Ta), 11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
72mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
509 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 20W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
PJQ4460

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJQ4460AP_R2_00001TR
Standartinis paketas
5,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

NVTYS004N03CLTWG

T6 30V N-CH LL IN LFPAK33

panjit

PJQ2461-AU_R1_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJL9402_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SQA444CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)