Gamintojo produkto numeris:
PJQ4476AP_R2_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJQ4476AP_R2_00001-DG
Aprašymas:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventorius:
12971787
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJQ4476AP_R2_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.3A (Ta), 35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1519 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 62W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
PJQ4476
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJQ4476AP_R2_00001TR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PJQ4476AP-AU_R2_000A1
GAMINTOJAS
Panjit International Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
4898
DiGi DALIES NUMERIS
PJQ4476AP-AU_R2_000A1-DG
VISO KAINA
0.35
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AOWF160A60
MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
PJL9422_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9416_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
