Gamintojo produkto numeris:
PJW5N10_R2_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJW5N10_R2_00001-DG
Aprašymas:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 3.1A (Ta), 5A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
12972778
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJW5N10_R2_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.1A (Ta), 5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
707 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Pagrindinio produkto numeris
PJW5N10
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJW5N10_R2_00001TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTMJS0D9N03CGTWG
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJW7N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
