Gamintojo produkto numeris:
PSMP050N10NS2_T0_00601
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PSMP050N10NS2_T0_00601-DG
Aprašymas:
100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-220AB-L
Inventorius:
1890 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12989046
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PSMP050N10NS2_T0_00601 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.8V @ 270µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3910 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
138W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB-L
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
PSMP050N10
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PSMP050N10NS2_T0_00601
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJMH190N60E1_T0_00601
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET