Gamintojo produkto numeris:
2SA1052MCTR-E
Product Overview
Gamintojas:
Renesas Electronics Corporation
Detalių numeris:
2SA1052MCTR-E-DG
Aprašymas:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150 mW Surface Mount 3-MPAK
Inventorius:
21245 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12940230
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SA1052MCTR-E Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Renesas Electronics Corporation
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
30 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
200mV @ 10mA, 1mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
160 @ 2mA, 12V
Galia - Maks.
150 mW
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginių paketas
3-MPAK
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RENRNS2SA1052MCTR-E
2156-2SA1052MCTR-E
Standartinis paketas
2,704
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
KST13MTF
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
2SB764E-SSH
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
RJK0349DPA-01#J0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
