Gamintojo produkto numeris:
2SB601-AZ
Product Overview
Gamintojas:
Renesas
Detalių numeris:
2SB601-AZ-DG
Aprašymas:
2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 1.5 W Through Hole TO-220AB
Inventorius:
4453 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977435
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SB601-AZ Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Renesas Electronics Corporation
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP - Darlington
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 3mA, 3A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
10µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Galia - Maks.
1.5 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SB601-AZ
Standartinis paketas
201
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BC857CQCZ
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
BC857AQCZ
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
2N4403-BP
TRANS PNP 40V 0.6A TO92