Gamintojo produkto numeris:
70T3339S133BCI8
Product Overview
Gamintojas:
Renesas Electronics Corporation
Detalių numeris:
70T3339S133BCI8-DG
Aprašymas:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Išsami aprašymas:
SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mbit Parallel 133 MHz 4.2 ns 256-CABGA (17x17)
Inventorius:
6154402
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
70T3339S133BCI8 Techninės specifikacijos
Kategorija
Atmintis, Atmintis
Gamintojas
Renesas Electronics Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Last Time Buy
"DiGi-Electronics" programuojamas
Not Verified
Atminties tipas
Volatile
Atminties formatas
SRAM
Technologija
SRAM - Dual Port, Synchronous
Atminties dydis
9Mbit
Atminties organizavimas
512K x 18
Atminties sąsaja
Parallel
Laikrodžio dažnis
133 MHz
Rašymo ciklo laikas - "Word", puslapis
-
Prieigos laikas
4.2 ns
Įtampa - tiekimas
2.4V ~ 2.6V
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
256-LBGA
Tiekėjo įrenginių paketas
256-CABGA (17x17)
Pagrindinio produkto numeris
70T3339
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IDT70T3339S133BCI8
IDT70T3339S133BCI8-DG
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
7014S20PF
IC SRAM 36KBIT PARALLEL 64TQFP
70V7519S133DR
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
7024L25J
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC