Gamintojo produkto numeris:
BSM250D17P2E004
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
BSM250D17P2E004-DG
Aprašymas:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
Inventorius:
34 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13523882
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSM250D17P2E004 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Box
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfigūracija
2 N-Channel (Half Bridge)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1700V (1.7kV)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
250A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 66mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
30000pF @ 10V
Galia - Maks.
1800W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Pakuotė / dėklas
Module
Tiekėjo įrenginių paketas
Module
Pagrindinio produkto numeris
BSM250
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
4
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
