Gamintojo produkto numeris:
EMA11T2R
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
EMA11T2R-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventorius:
13522808
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EMA11T2R Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
150mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
EMT5
Pagrindinio produkto numeris
EMA11
Papildoma informacija
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RN2706JE(TE85L,F)
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
RN2706JE(TE85L,F)-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
RN2906,LF
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
5268
DiGi DALIES NUMERIS
RN2906,LF-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
