Gamintojo produkto numeris:
EMA8T2R
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
EMA8T2R-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
Inventorius:
13520787
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EMA8T2R Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
-
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
EMT5
Pagrindinio produkto numeris
EMA8T2
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
EMA8T2RTR
EMA8T2RCT
EMA8T2RDKR
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RN2707JE(TE85L,F)
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
1645
DiGi DALIES NUMERIS
RN2707JE(TE85L,F)-DG
VISO KAINA
0.05
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMD6FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
