Gamintojo produkto numeris:
EMB9T2R
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
EMB9T2R-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventorius:
13522576
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EMB9T2R Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Not For New Designs
Tranzistoriaus tipas
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
150mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Tiekėjo įrenginių paketas
EMT6
Pagrindinio produkto numeris
EMB9T2
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
EMB9T2RTR
EMB9T2R-ND
EMB9T2RCT
EMB9T2RDKR
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DDA114YH-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DDA114YH-7-DG
VISO KAINA
0.06
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
EMB51T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMD2FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMD9FHAT2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
