Gamintojo produkto numeris:
ES6U41T2R
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
ES6U41T2R-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventorius:
13521003
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
ES6U41T2R Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
80 pF @ 10 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
700mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-WEMT
Pakuotė / dėklas
6-SMD, Flat Leads
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
US5U1TR
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2995
DiGi DALIES NUMERIS
US5U1TR-DG
VISO KAINA
0.19
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
2SK2503TL
MOSFET N-CH 60V 5A CPT3