Gamintojo produkto numeris:
HS8K11TB
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
HS8K11TB-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Inventorius:
1372 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13524843
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HS8K11TB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A, 11A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
500pF @ 15V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-UDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
HSML3030L10
Pagrindinio produkto numeris
HS8K11
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
SH8K41GZETB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
