Gamintojo produkto numeris:
QS5U17TR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
QS5U17TR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventorius:
8691 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526444
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
QS5U17TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
175 pF @ 10 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
900mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TSMT5
Pakuotė / dėklas
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Pagrindinio produkto numeris
QS5U17
Duomenų lapas ir dokumentai
Patikimumo dokumentai
Dizaino ištekliai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
QS5U17CT
QS5U17DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F