Gamintojo produkto numeris:
QS8J4TR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
QS8J4TR-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventorius:
8078 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526152
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
QS8J4TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 10V
Galia - Maks.
550mW
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
TSMT8
Pagrindinio produkto numeris
QS8J4
Duomenų lapas ir dokumentai
Dalių numeravimo vadovas
Patikimumo dokumentai
Dizaino ištekliai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
QS8J4CT
QS8J4DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
