Gamintojo produkto numeris:
R6004JND3TL1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6004JND3TL1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
2500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13525129
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6004JND3TL1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 450µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
260 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
60W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
R6004
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6004JND3TL1DKR
R6004JND3TL1CT
R6004JND3TL1TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RSS110N03TB
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP